Semicondutor de sucata de wafer de silício IC 200 mm 8 polegadas

Informação básica

Método de crescimento	CZ e Fz
Orientação	111 ou 100
Resistividade	0,0005 a 150
Superfície	Lado duplo polido ou lado único polido
dopante	Tipo N e Tipo P
Partículas	<30 a 0,3um
Arco	< 30 Um
ttv	<15 Hum
Pacote de transporte	Caixa
Origem	Jiaozuo Henan
Capacidade de produção	100, 000PCS/Mês

Descrição do produto

Substratos de Silício

1. o que são pastilhas de silício e sua aplicação:
Um wafer de silício é um material essencial para a fabricação de semicondutores, que estão presentes em todos os tipos de dispositivos eletrônicos que enriquecem nossas vidas.

A bolacha de silício é o material mais comum e amplamente utilizado para uma variedade de indústrias de alta tecnologia, incluindo circuitos integrados, detectores ou dispositivos sensores, fabricação de MEMS, componentes optoeletrônicos e células solares.

O wafer de silício é um disco redondo muito fino cortado de silício de alta pureza. Um lingote de silício redondo é cortado em espessuras de aproximadamente 1 mm. As superfícies do disco resultante são cuidadosamente polidas e depois limpas, resultando na bolacha completa. Bolachas de silício são feitas de silício de alta pureza e são o material de dispositivos semicondutores. Esses wafers também podem ser fabricados com um entalhe SEMI ou um ou dois planos SEMI.

200mm 8 Inch IC Silicon Wafer Scrap Semiconductor

2. Fabricação de um Wafer de Silício
Crescer umlingote de silício pode levar de uma semana a um mês, dependendo de muitos fatores, incluindo tamanho, qualidade e especificação. Mais de 75% de todos os wafers de silício de cristal único crescem através do método Czochralski (CZ).

200mm 8 Inch IC Silicon Wafer Scrap Semiconductor

3. Equipamentos que usamos

200mm 8 Inch IC Silicon Wafer Scrap Semiconductor

Produtos

Semicondutor de sucata de wafer de silício IC 200 mm 8 polegadas

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